Testherausforderungen für Halbleiter -Geräte der dritten Generation

Es ist keine Übertreibung zu sagen, dass die Halbleitergeräte der dritten Generation Innovationen in die Stromversorgungsbranche gebracht haben. Basierend auf ihren hohen Geschwindigkeit, geringen Größe und geringem Stromverbrauch werden sie in der Unterhaltungselektronik und der Strome -Elektronikindustrie immer häufiger eingesetzt. Schauen wir uns zunächst die Unterschiede zwischen Leistungsgeräten verschiedener Technologien an. Die folgende Abbildung zeigt, dass herkömmliche SI-basierte IGBTs oder MOSFETs entweder im Hochspannungs- und im niedrigen Geschwindigkeitsbereich oder im Bereich mit niedrigem Volt und Hochgeschwindigkeit verteilt sind. Die traditionelle Erkennungstechnologie auf dem Markt kann die Testanforderungen für die Gerätecharakterisierung abdecken. Die Technologie des Halbleitergeräts der dritten Generation sc oder gan neigt jedoch aufgrund seiner hohen Geschwindigkeit, hohen Widerstandsspannung, hohen Temperaturwiderstand, geringer Größe und geringem Stromverbrauch zu reifen , was sich von der traditionellen Leistung unterscheidet. SI-basierte Leistungsgeräte haben jedoch den Verteilungsbereich erheblich erweitert und deckt Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsbereiche, die noch nie aufgetreten sind, ab, was eine sehr strenge Herausforderung für Geräte-Testwerkzeuge darstellt.
In diesem Jahr werden SIC- und GAN -Geräte in den Bereichen 5G -Kommunikationstromversorgung, neuer Energiewechselrichter und Elektrofahrzeugantrieb in der vom Land veröffentlichten neuen Infrastruktur immer stärker eingesetzt. . Viele Möglichkeiten haben auch neue Designherausforderungen gebracht.
Gegenwärtig verwenden viele Ingenieure Schalteigenschaften mit niedrigen Seite, um Geräte zu bewerten und Fahrkreise im Brückenschaltungsdesign zu entwerfen. Da es einen "Boden" -Referenz gibt, scheint es, dass die Bandbreite und der Spannungsbereich erfüllt sind, aber tatsächlich ignorieren viele Menschen sie. Tatsächlich sind der Antrieb und die Eigenschaften der Hochspannungsseite und der Niederspannungsseite nicht gleich, und der obere Röhrentest kann nicht aus dem Abwärtsrohrtest berechnet werden, aber warum testen die Ingenieure nicht wirklich die Hoch -Volt -Seite VGS? Hauptsächlich, weil es derzeit keine geeignete Sonde und Methode zum Testen des genauen Hochspannungs-Seitenantriebssignals gibt, wird es durch die Bandbreitenbeschränkung, die Beschränkung des gemeinsamen Modus-Abstoßungsverhältnisses, die Signalstörung usw. beeinflusst, sodass es nur durch Spekulation oder durch Spekulation oder geschätzt werden kann Simulation, die sehr groß ist. Bis zu einem gewissen Grad wird die Unsicherheit des Produktdesigns erhöht und es gibt sogar große Sicherheitsrisiken.
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